박 부사장은 27일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "압도적인 성능과 특성을 앞세운 HBM3(4세대)로 높은 시장 점유율을 확보했고, 올해 3월에는 HBM3E(5세대) 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급했다"며 이같이 말했다.
SK하이닉스는 지난 2009년 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 실리콘관통전극(TSV) 기술에 주목해 HBM 개발에 약 4년의 시간을 들였다. 그 결과 2013년 12월 첫 HBM을 세상에 내놓게 됐다.
박 부사장은 "2010년대 중후반 HBM 설계 조직은 공공연히 '오지'로 불렸으며 이 사업에 대한 업계의 비관론도 쏟아졌다"며 "하지만 우리의 고유 기술력을 보여줄 기회라 생각했고 이는 후속 제품 개발의 원동력이 됐다"고 말했다.
2020년대 들어 HBM3 주도권 경쟁이 치열해지는 가운데 SK하이닉스는 공격적인 기술 개발 및 투자로 1위 자리를 공고히 했다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 전 세계 HBM 시장점유율은 SK하이닉스 53%, 삼성전자 38%, 미국 마이크론 9% 순이었다.
박 부사장은 "SK하이닉스는 설계 검증의 혁신을 거듭하면서 제품 설계 완성도를 높이고, 개발 및 양산 초기부터 고객사와 협력하는 등 많은 노력을 기울였다"며 "특히 패키지, 미래기술연구원 등 구성원 모두가 '원 팀'이 돼 기술 혁신에 매진해 온 것도 큰 역할을 했다"고 전했다.
최근 경쟁사인 삼성전자의 HBM 팀이 SK하이닉스로 넘어와 기술을 개발했다는 루머에 대해서는 사실무근이라고 일축했다. 박 부사장은 "SK하이닉스의 HBM은 지난 15년간 구성원들이 피땀 흘려 쌓은 기술력의 결실"이라며 "해당 루머 때문에 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"고 했다. 그러면서 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"고 덧붙였다.
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