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산업

SK하이닉스 "차세대 HBM 공급, 내년 계획 논의중"

고은서 기자 2024-05-30 21:49:00

신임 임원 좌담회 개최

좌담회에 참석한 SK하이닉스 임원들. 사진 왼쪽부터 권언오 부사장(HBM PI), 김기태 부사장(HBM S&M), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 길덕신 부사장(소재개발), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 이재연 부사장(Global RTC)[사진=SK하이닉스]
[이코노믹데일리] SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)를 적기에 공급하기 위해 내년도 계획까지 논의 중이라고 30일 밝혔다.

이날 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 김기태 HBM 세일즈&마케팅(S&M) 부사장은 최근 열린 SK하이닉스 신임 임원 좌담회에서 "현재 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 인공지능(AI) 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"고 말했다.

김 부사장은 "HBM을 비롯해 AI 메모리 기술 우위를 유지하려면 전 공정의 설계·소자·제품 경쟁력 뿐 아니라 후공정의 고단 적층 패키징 기술력도 강화해야 한다"고 전했다.

SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 HBM 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 양산했다. 6세대인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당겨 글로벌 투자와 기업 간 협력으로 차세대 기술력을 확보한다는 전략이다.

신임 임원들은 AI 메모리에서 선도적 입지를 다지게 된 배경에 대해 시장이 열리기 전부터 이어온 투자와 연구가 성장의 밑거름이 됐다고 밝혔다.

손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력, 내부 부서간 협업 과정에서 열린 방식으로 일했기에 가능했다"며 "앞으로 메모리·시스템, 전·후공정 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 강조했다.

AI 산업의 확장으로 새로운 메모리 시장이 열리고 있다는 분석도 나왔다.

이재연 부사장은 "기존 메모리 한계를 뛰어넘는 이머징 메모리에 대한 관심이 크다"며 "기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기저항메모리(MRAM) 저항변화메모리(RRAM) 등이 주목 받고 있다"고 말했다.
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