삼성전자에 따르면 이 회장은 이날 기흥 차세대 반도체 연구개발(R&D)단지 건설 현장을 둘러보고 경영진 간담회를 진행했다.
이 회장은 삼성전자 반도체연구소에서 열린 간담회에서 차세대 반도체 기술 개발 현황을 보고 받고 메모리와 파운드리(생산 전문), 팹리스(설계 전문) 등 전 분야에 대한 경쟁력 제고 방안을 논의했다. 주요 현안으로는 첨단 공정 개발 현황과 기술력 확보 방안, 공급망 대책이 다뤄졌다.
간담회에는 DS부문장인 경계현 사장과 이정배 메모리사업부장, 최시영 파운드리사업부장, 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등이 참석했다. 해외 출장으로 자리를 비운 경영진은 화상으로 회의에 참석한 것으로 전해졌다.
기흥 차세대 반도체 R&D단지는 오는 2030년까지 약 20조원이 들어가는 대규모 프로젝트다. 연구·생산·유통을 한 곳에서 수행함으로써 개발이 끝난 기술을 양산 제품에 곧바로 적용하겠다는 목표다.
삼성전자는 "기흥 캠퍼스에 건설되는 차세대 반도체 R&D단지는 미래 반도체 기술을 선도하는 핵심 연구 기지 역할을 할 것"이라고 밝혔다.
오는 27일 취임 1주년을 맞는 이 회장은 현장 경영을 통해 기술의 중요성을 강조해 왔다. 지난 2월 충남 천안·온양캠퍼스를 찾아 첨단 패지키 기술이 적용된 반도체 생산라인을 둘러보는 한편 3월에는 반도체연구소 신입 박사 연구원과도 만남을 가졌다.
천안·온양캠퍼스 방문 당시 이 회장은 "어려운 상황이지만 인재 양성과 미래 기술 투자에 조금도 흔들림이 있어서는 안 된다"고 당부했다. 신입 박사 연구원과의 간담회에서는 "연구소를 양적·질적 측면에서 두 배로 키워나갈 예정"이라며 R&D 역량 강화를 약속했다.
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