삼성전자는 업계 최초로 12나노급 32Gb D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 업계 최고 용량 개발을 이뤄내며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다.
삼성전자는 경기 용인시 기흥캠퍼스에서 1992년 8월 세계 최초 64메가비트(Mb) D램 개발을 시작으로 본격적으로 시장 지배력을 확대해 갔다. 같은 해 D램 반도체 세계 1위를 달성한 이후 삼성전자는 1996년 1Gb D램, 2004년 80나노 2Gb D램 등을 개발하며 30년간 전 세계 D램 시장 점유율 1위를 놓치지 않고 있다.
이번 32Gb 제품은 같은 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 즉 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통전극(TSV) 공정없이도 제작 가능하게 됐다.
TSV 공정은 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수였다.
삼성전자는 같은 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT) 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대했다.
삼성전자의 32Gb 제품 개발로 1테라바이트(TB) D램 현실화 가능성도 나온다. 삼성전자는 앞으로 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품으로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.
이번 개발은 대용량 처리가 요구되는 시장 수요에 대응할 수 있는 해결책이 될 것이라는 분석도 나온다. 최근 생성형 AI의 발달로 고용량 D램의 폭증이 예상되고 있기 때문이다. 시장 대응시장조사기관 IDC는 서버당 D램 탑재량은 올해 1.93TB에서 2027년 3.86TB로 2배 가까이 확대될 것으로 예상했다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산한다.
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