마이크론은 전날(27일) 공식 발표를 통해 "HBM3E 솔루션의 대량 생산을 시작했으며 이번 24기가바이트(GB) 용량의 8H(8단) HBM3E는 올해 2분기 출하를 시작하는 엔비디아 'H200'에 탑재될 예정"이라고 밝혔다.
HBM3E는 가장 최신 HBM으로 5세대에 해당한다. 마이크론은 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현했다. 마이크론은 "D램은 10나노급(1b) 제품을 적용, 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술로 적층했다"고 전했다. 마이크론의 HBM3E는 경쟁 제품보다 전력소비량이 약 30% 낮은 게 강점으로 꼽힌다.
마이크론이 HBM3E 양산을 업계 최초로 성공하면서 메모리 시장 판도가 급변할 것으로 예상된다. 현재 엔비디아는 주로 HBM 시장 선두주자인 SK하이닉스로부터 HBM 반도체를 공급받고 있지만 앞으로 늘어나는 AI 수요를 소화하기 위해 공급망을 다변화할 것으로 관측된다. 업계에서는 암묵적으로 여겼던 "SK하이닉스가 HBM 승자" 룰이 깨졌다는 평가도 나온다.
한편 삼성전자도 마이크론과 같은날 업계 최대 용량을 구현한 HBM3E 개발을 공개했다. 삼성 HBM3E는 마이크론보다 적층수가 많은 12단이다. 삼성은 24기가비트(Gb) D램을 12번 쌓아 36GB를 구현했다고 설명했다. 전작 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐으며 상반기 양산에 돌입할 예정이다.
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