삼성전자는 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 CES 2024에서 인공지능(AI) 시대를 선도해 나갈 차세대 반도체 제품을 대거 선보였다.
삼성전자는 이번 전시를 반도체의 경쟁력을 한 자리에서 체험할 수 있게 기획했다. 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 통해 경기도 평택캠퍼스 내 가장 최신 공정인 P3공장과 미국 테일러 공장 건설 시황을 살펴볼 수 있었다. 반도체 제품은 △서버 △PC·그래픽 △모바일 △오토모티브(차량용 전자장비) △라이프스타일 등 5가지 주요 응용처별 솔루션 공간으로 전시했다.
이번에 전시된 고용량 라인업인 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램은 같은 패키지 사이즈에서 실리콘 관통 전극(TSV) 기술 없이도 128기가바이트(GB) 고용량 모듈 구성을 할 수 있다. TSV까지 사용한다면 최대 1테라바이트(TB) D램 모듈을 구현할 수 있어 메모리 기술의 한계를 극복한 제품으로 평가받는다.
AI 시대를 이끌 클라우드용 솔루션인 고대역폭메모리(HBM)3E '샤인볼트'도 전시됐다. 이전 세대인 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선된 제품이다. 온디바이스 AI 시장 겨냥한 △8.5Gbps 'LPDDR5X D램 △LPDDR5X-PIM △LLW D램 등을 공개하며 시장 선점에 대한 포부를 드러냈다.
한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 차세대 고성능 메모리 산업이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것이라고기대했다. 그는 HBM 시장에 대해 "(메모리 반도체) 시황이 어렵더라도 앞으로도 시설투자를 유지하면 경쟁력은 올라갈 것"이라며 향후 시설투자를 이어가겠다는 의지를 드러냈다.
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