SK하이닉스, '10나노 1c' 기술개발 성공

[이코노믹데일리] SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고속 D램 고대역폭메모리(HBM)에 이어 10나노 6세대 기술 개발도 성공하면서 D램 1등 기술력을 입증했다.

SK하이닉스 뉴스룸은 오태경 부사장이 최근 열린 사내 좌담회에서 "남은 기간 부족한 부분을 보완해 안정적인 양산 수율과 원가 경쟁력을 지속적으로 개선해 SK하이닉스의 1등 리더십을 사수하겠다"는 뜻을 전했다고 10일 밝혔다.

좌담회엔 10나노급 6세대(1c) 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다.

SK하이닉스는 지난달 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다. 회사의 전 세대 제품 대비 개발 기간을 2개월이나 단축한 셈이다.

1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. SK하이닉스는 극자외선(EUV) 공정에 신소재를 개발해 적용하고, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화해 원가 절감까지 실현했다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

오 부사장은 "가장 큰 목표는 '1등 개발'로 우리는 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다"며 "덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 말했다.

조직 문화의 중요성을 언급하며 '원팀'의 힘도 강조했다. 김 부사장은 "미세 공정의 난이도는 점점 높아지고 그에 따른 다양한 기술적 난제가 존재하지만 이를 해결할 힘은 결국 여러 유관 조직이 같은 목표를 향해 나아가는 원팀 정신"이라고 설명했다.