삼성전자, 업계 최초 9세대 V낸드 양산

 삼성전자가 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.

삼성전자는 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가 시켰다.

특히 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수인 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.

채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2기가비피에스(Gbps)의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

또 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 "9세대 V낸드를 통해 인공지능(AI) 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 전했다.