삼성전자, 12나노급 DDR5 D램 개발…세대 교체 가속화

[이코노믹데일리] 삼성전자가 반도체 업계 최초로 12나노미터(nm·1nm=10억분의 1m)급 DDR5 D램을 개발했다. 메모리 반도체 시장이 혹한기에 접어든 가운데서도 세대 교체에 박차를 가하는 모습이다.

삼성전자는 12나노급 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD 연산장치 플랫폼 젠(Zen)과 호환성을 검증했다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 유전율(전기적 유도 물질을 넣었을 때 전기 용량과 그렇지 않았을 때 전기 용량의 비율)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터 용량을 높이고 회로 특성을 개선해 업계에서 가장 선폭이 짧은 공정을 완성했다. 또한 다층 극자외선(멀티레이어 EUV) 기술을 활용해 업계 최고 수준 회로 집적도를 갖췄다. 

12나노급 D램은 이전 세대 제품과 비교해 생산성과 에너지 효율성이 크게 개선됐다. 생산성은 20%가량 향상되고 소비 전력은 약 23% 감소했다. 삼성전자는 "기후 위기 극복에 동참하는 글로벌 정보기술(IT) 기업에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대한다"고 강조했다.

최대 동작 속도는 초당 7.2기가비트(Gb)에 이른다. 1초에 30기가바이트(GB) 용량 UHD 화질 영화 2편을 처리하는 수준이다.

삼성전자는 성능과 전력 효율을 개선해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이다. 이와 함께 고성능 메모리 반도체가 필요한 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

12나노급 D램 양산 시점은 오는 2023년이다. 삼성전자는 지난해 10월 14나노급 D램 양산을 시작했다. 올해 10월에는 미국에서 열린 '테크 데이'를 통해 5세대 10나노급 D램을 내년부터 양산하겠다고 밝혔다. 5세대 10나노급 공정과 12나노급 공정은 같은 의미다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 "업계 최선단(최소 선폭) 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 다양한 분야에서 고객사의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것"이라고 전했다.

조 매크리 AMD 최고기술책임자(CTO)는 "기술 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는 데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.